艾伦-黑格教授做学术报告	参会人员在光电楼前合影
黑格教授在当年亲手栽种的“黑格树”前留影	黑格教授与部分参会人员参观华园

    9月16日，2000年诺贝尔化学奖获得者、中国科学院外籍院士、美国加州大学圣巴巴拉分校艾伦-黑格教授(A.J.Heeger)带领其研究团队一行8人应邀访问华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室(筹)、高分子光电功能材料与器件研究所，并与曹镛院士、实验室、光电所师生进行了为期两天的关于聚合物光电功能材料与器件的双边研讨会。
    此次双边研讨会共安排了21场学术报告。这是一次具有国际水平的学术研讨会，由双方师生共同参与，其中研究生的报告占多数，围绕聚合物光电功能材料与器件研究领域的前沿课题，特别是聚合物异质结太阳电池，全印刷发光显示与白光照明材料与器件，驱动聚合物发光的金属氧化物薄膜晶体管TFT基板等领域，将双方的最新研究成果及合作研究进展，进行了充分、深入的交流与互动。
    会上，双方均表示希望在原有合作的基础上，进一步推动和深化双方在有机/聚合物光电材料与器件等领域的合作与交流，实现优势互补和资源共享，建立长期有效的师生交流与友好合作关系。
    据悉，此次双边学术研讨会是在外专局/教育部“高等学校学科创新引智计划”及国家自然科学基金委重大国际合作研究项目“高效聚合物太阳电池”支持下举行的。这是华南理工大学与加州大学圣巴巴拉分校（UCSB）自2007年以来所举行的第四次双边研讨会，其中三次在华南理工大学召开，一次是光电所师生应邀前往UCSB召开。光电所至今已有多位研究生同学前往或正在UCSB联合培养或做博士后研究。（图文/通讯员 廖燕菲 材料科学与工程学院 编辑/刘慧婵）